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J-GLOBAL ID:200902285841213951   整理番号:03A0847352

安熱合成法によるGaNの作製

著者 (5件):
資料名:
巻: 48th  ページ: 17-18  発行年: 2003年11月04日 
JST資料番号: L1397A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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GaNは短波長発光素子や高周波・高出力電子素子用材料として注...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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準シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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