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J-GLOBAL ID：200902286205593589   整理番号：05A0521915

多価イオンがかすめ角で衝突したGaNとSiC表面からの二次イオンの運動量画像分光法

Momentum-imaging spectroscopy of secondary ions from GaN and SiC surfaces collided with highly charged ions at grazing angle
著者 (3件)：
MOTOHASHI Kenji

MOTOHASHI Kenji について

(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Koganei, Tokyo 184-8588, JPN)

Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Koganei, Tokyo 184-8588, JPN について

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TSURUBUCHI Seiji

TSURUBUCHI Seiji について

(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Koganei, Tokyo 184-8588, JPN)

Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Koganei, Tokyo 184-8588, JPN について

, 
KOUKITU Akinori

KOUKITU Akinori について

(Dep. of Applied Chemistry, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Koganei, Tokyo 184-8588, JPN)

Dep. of Applied Chemistry, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Koganei, Tokyo 184-8588, JPN について


資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms について


巻： 232  号： 1-4  ページ： 254-260  発行年： 2005年05月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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かすめ入射角(<0.5°)でArq+(...
シソーラス用語：
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*炭化ケイ素

炭化ケイ素 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ポテンシャルスパッタリング

ポテンシャルスパッタリング について


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分類 (1件)：
分類
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イオン放出 
(BM09070V)

イオン放出 について

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多価イオン

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衝突

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GaN

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SiC

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二次イオン

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運動量

運動量 について

, 
画像分光法

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