文献

J-GLOBAL ID：200902286602123173   整理番号：07A0588706

グラフェン積層物の電子物性

Electronic properties of stacks of graphene layers

著者 (3件)： GUINEA F. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, CSIC, Cantoblanco E28049 Madrid, ESP) ,  CASTRO NETO A.h. (Dep. of Physics, Boston Univ., 590 Commonwealth Avenue, Boston, MA 02215, USA) ,  PERES N.m.r. (Centre of Physics and Departamento de Fisica, Universidade do Minho, P-4710-057, Braga, PRT)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 143  号： 1-2  ページ： 116-122  発行年： 2007年07月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン積層物の電子物性をレビューした。Landau準位と...

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,...
準シソーラス用語： *黒鉛 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0588706&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0499A") }}

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  積層物 ,  電子物性