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J-GLOBAL ID：200902286628876064   整理番号：09A0534436

TiN/Ti界面における窒素K端とチタンL₃端の電子エネルギー損失近端構造の化学シフト

Chemical Shift of Electron Energy-Loss Near-Edge Structure on the Nitrogen K-Edge and Titanium L₃-Edge at TiN/Ti Interface

著者 (5件)： TERADA Shohei (Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN) ,  ASAYAMA Kyoichiro (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  TSUJIMOTO Masahiko (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KURATA Hiroki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ISODA Seiji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Microscopy and Microanalysis  (Microscopy and Microanalysis)
巻： 15  号： 2  ページ： 106-113  発行年： 2009年04月 
JST資料番号： W1587A  ISSN： 1431-9276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiN/Ti界面における窒素K端とチタンL₃端で測定した電子エネルギー損失近端構造の化学シフトを分析して,NiとTiの原子比と化学シフトの関係を明らかにした。実験結果を第一原理バンド構造計算に基づくシミュレーションと比べて,化学シフトと原子比の関係を実証した。化学シフトはNi空格子点濃度に依存し,NiピークとTiピークは逆方向にシフトを示した。このシフトは,励起原子の価電子電荷量の空格子点による変化が原因である。この効果は,ナノサイズの半導体素子における故障分析にも有用である。

シソーラス用語： *電子エネルギー損失スペクトル ,  吸収端 ,  *ニッケル ,  *チタン ,  *化学シフト ,  第一原理 ,  バンド構造 ,  計算機シミュレーション ,  *空格子点

分類 (1件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (9件)： TiN ,  Ti ,  界面 ,  窒素 ,  チタン ,  電子エネルギー ,  損失 ,  端 ,  化学シフト