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J-GLOBAL ID：200902286683915974   整理番号：08A0340739

層状半導体のIn₄Se₃(100)における表面鎖の電子構造

The electronic structure of surface chains in the layered semiconductor In₄Se₃(100)

著者 (12件)： LOSOVYJ Ya. B. (Center for Advanced Microstructures and Devices, Louisiana State Univ., Baton Rouge, Louisiana 70806, USA) ,  KLINKE Melanie (Dep. of Physics, Florida International Univ., Miami, Florida 33199, USA) ,  CAI En (Dep. of Physics, Florida International Univ., Miami, Florida 33199, USA) ,  RODRIGUEZ Idaykis (Dep. of Physics, Florida International Univ., Miami, Florida 33199, USA) ,  ZHANG Jiandi (Dep. of Physics, Florida International Univ., Miami, Florida 33199, USA) ,  MAKINISTIAN L. (Dep. of Physics, South Dakota School of Mines, Rapid City, South Dakota 57701, USA) ,  PETUKHOV A. G. (Dep. of Physics, South Dakota School of Mines, Rapid City, South Dakota 57701, USA) ,  ALBANESI E. A. (INTEC-CONICET, Gueemes 3450, 3000 Santa Fe, Argentina, and Facultad de Ingenieria, Universidad Nacional de Entre ...) ,  GALIY P. (Electronics Dep., Ivan Franko National Univ. of Lviv, 50 Dragomanov Str., 79005 Lviv, UKR) ,  FIYALA Ya. (Electronics Dep., Ivan Franko National Univ. of Lviv, 50 Dragomanov Str., 79005 Lviv, UKR) ,  LIU Jing (Dep. of Physics and Astronomy and the Nebraska Center for Material and Nanoscience, Univ. of Nebraska, Lincoln ...) ,  DOWBEN P. A. (Dep. of Physics and Astronomy and the Nebraska Center for Material and Nanoscience, Univ. of Nebraska, Lincoln ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 12  ページ： 122107  発行年： 2008年03月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状構造を持つIn₄Se₃単結晶における秩序化した(100)表面は,半導体の準一次元のインジウム(In)鎖によって特徴づけられる。価電子帯の頂上近傍において,表面の面内で大きな分散を持つバンドが観測される。このバンドはInの鎖方向に沿って,幅が1eV程度の異方的な分散を示すことが分かった。このバンドの分散は,主にInのs軌道およびSeのp軌道の混成に起因する。しかし,Inのs軌道とSeのp軌道,およびInのp軌道とSeのp軌道の混成もバンドギャップの形成には大きな役割を持つことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 層状化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *セレン化物 ,  化合物半導体 ,  単結晶 ,  低次元系 ,  一次元 ,  *バンド構造 ,  配位混合 ,  *セレン化インジウム
準シソーラス用語： 軌道混成

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 層状 ,  電子構造