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J-GLOBAL ID：200902286746197562   整理番号：09A0954988

アームチェアグラフェンナノリボン構造中の制御可能なスピン依存輸送

Controllable spin-dependent transport in armchair graphene nanoribbon structures

著者 (5件)： NGUYEN V. Hung (Inst. d’Electronique Fondamentale, UMR 8622, CNRS, Univ. Paris Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  NAM DO V. (Hanoi Advanced School of Sci. and Technol., 40 Ta Quang Buu, Hanoi 10000, VNM) ,  BOURNEL A. (Inst. d’Electronique Fondamentale, UMR 8622, CNRS, Univ. Paris Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  NGUYEN V. Lien (Dep. of Theoretical, Inst. of Physics, VAST, P.O. Box 429 Bo Ho, Hanoi 10000, VNM) ,  DOLLFUS P. (Inst. d’Electronique Fondamentale, UMR 8622, CNRS, Univ. Paris Sud, 91405 Orsay, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 5  ページ： 053710  発行年： 2009年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強束縛近似モデルの非平衡Green関数形式を用いて,強磁性ゲートで制御したアームチェアグラフェンナノリボン構造中のスピン依存輸送を調べた。ゲート電圧で調節可能な障壁高さに関する伝導の振動的な挙動とスピン分極だけでなく,特に幅依存バンドギャップと接点の性質の効果を解析した。大きなバンドギャップを持つグラフェンナノリボン中のスピン分極の振動は無限グラフェンシートとの比較で強かった。常伝導体/グラフェン/常伝導体接点中で極めて大きいスピン分極(ほとんど100%)を観測した。さらに常伝導体とグラフェンの電子構造の差が,素子の輸送特性に強い影響を及ぼす閉じ込め状態を発生させることを見出した。この研究はスピン分極電流の高い制御性を得るためには素子の設計には慎重を要することを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  *ナノ構造 ,  可制御性 ,  *スピン分極 ,  強束縛近似 ,  Green関数 ,  強磁性 ,  ゲート【半導体】 ,  バンドギャップ ,  閉込め ,  接触 ,  *グラフェン ,  *ナノリボン
準シソーラス用語： *輸送特性

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェンナノリボン ,  スピン ,  輸送