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J-GLOBAL ID：200902287122369977   整理番号：09A0063126

利得帯域幅積340GHzのモノリシックなゲルマニウム/シリコン・アバランシェフォトダイオード

Monolithic germanium/silicon avalanche photodiodes with 340 GHz gain-bandwidth product

著者 (17件)： KANG Yimin (Intel Corp., California, USA) ,  LIU Han-Din (Intel Corp., California, USA) ,  LIU Han-Din (Univ. Virginia, Virginia, USA) ,  MORSE Mike (Intel Corp., California, USA) ,  PANICCIA Mario J. (Intel Corp., California, USA) ,  ZADKA Moshe (Numonyx, Qiryat-Gat, ISR) ,  LITSKI Stas (Numonyx, Qiryat-Gat, ISR) ,  SARID Gadi (Numonyx, Qiryat-Gat, ISR) ,  PAUCHARD Alexandre ,  KUO Ying-Hao (Univ. California Santa Barbara, California, USA) ,  CHEN Hui-Wen (Univ. California Santa Barbara, California, USA) ,  ZAOUI Wissem Sfar (Univ. California Santa Barbara, California, USA) ,  BOWERS John E. (Univ. California Santa Barbara, California, USA) ,  BELING Andreas (Univ. Virginia, Virginia, USA) ,  MCINTOSH Dion C. (Univ. Virginia, Virginia, USA) ,  ZHENG Xiaoguang (Univ. Virginia, Virginia, USA) ,  CAMPBELL Joe C. (Univ. Virginia, Virginia, USA)
資料名： Nature Photonics  (Nature Photonics)
巻： 3  号： 1  ページ： 59-63  発行年： 2009年01月 
JST資料番号： W2212A  ISSN： 1749-4885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンフォトニクスが安価な光検出器,変調器および光源に有望な技術であることが最近の著しい進歩で実証されつつある。しかし,それらの性能はInP系デバイスより劣ると考えられることが多かった。ほとんどの場合これは事実であるが,例外のひとつとしてアバランシェ光検出器の領域がある。アバランシェ光検出器は,シリコンの材料特性ゆえに,InP系アバランシェ光検出器よりも利得を高くかつ過剰ノイズを少なくでき,理論感度を3dB以上向上できる。今回我々は,モノリシックに成長させたゲルマニウム/シリコン・アバランシェ光検出器について報告する。この光検出器は,利得帯域幅積が340GHz,k_effが0.09,感度が10Gb s^-1で-28dB mである。これは,1,300nmで動作するあらゆるアバランシェ光検出器について報告されたなかで最高の利得帯域幅積であり,成熟した市販のIII-V族化合物アバランシェ光検出器と同等の感度である。本研究は,40Gb s^-1以上のデータレートで動作する安価なCMOS系ゲルマニウム/シリコン・アバランシェ光検出器の将来の開発に道を開くものである。Copyright Nature Publishing Group 2009

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  *光検出器 ,  感度
準シソーラス用語： 利得帯域幅積

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 利得帯域幅積 ,  ゲルマニウム ,  シリコン ,  アバランシェフォトダイオード