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J-GLOBAL ID：200902287286597954   整理番号：08A1231561

4H-SiC中のアクセプタ-ドナー複合体の理論研究

Theoretical Study of Acceptor-Donor Complexes in 4H-SiC

著者 (2件)： MIYATA Masanori (Kwansei Gakuin Univ., Hyogo, JPN) ,  HAYAFUJI Yoshinori (Kwansei Gakuin Univ., Hyogo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 11  ページ： 111401.1-111401.3  発行年： 2008年11月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC中のアクセプタ-ドナー複合体の全エネルギーと電子構造をab initio計算法を用いて調べた。計算はIII族元素からの置換二アクセプタ原子と窒素(N)ドナー原子からなるA₂D複合体をカバーした。一部のA₂D複合体は安定して存在し,Al₂N及びGa₂Nの固体可溶性は大幅に高まる可能性がある。また,Ga₂NはBやAlのような通常のアクセプタ原子に比べてアクセプタ準位が浅かった。本結果はGa⁺/N⁺同時注入が低電気抵抗率p型4H-SiC実現のためのドーピング法の有力な候補の一つであることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アクセプタ ,  ドナー ,  複合体 ,  *ab initio法 ,  *炭化ケイ素 ,  電子構造 ,  電気抵抗率 ,  P型半導体 ,  ドーピング ,  窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *不純物準位
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  アクセプタ準位

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

引用文献 (19件)：

• IKEDA, M. Phys. Rev. B. 1980, 22, 2842
• IVANOV, I. G. Phys. Rev. B. 2005, 71, 241201
• TROFFER, T. Phys. Status Solidi A. 1997, 162, 277
• ITOH, H. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 1427
• KRESSE, G. Comput. Mater. Sci. 1996, 6, 15

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  アクセプタ ,  ドナー ,  複合体 ,  理論 ,  研究