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J-GLOBAL ID：200902287293362717   整理番号：05A0057735

Kelvinプローブ力顕微鏡によるAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの表面ポテンシャル測定

Surface potential measurements of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by Kelvin probe force microscopy

著者 (5件)： NAKAGAMI K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHNO Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KISHIMOTO S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAEZAWA K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIZUTANI T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 85  号： 24  ページ： 6028-6029  発行年： 2004年12月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートバイアス応力下にあるAlGaN/GaN高電子移動度トラ...

シソーラス用語： *HEMT ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  ポテンシャル測定