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J-GLOBAL ID：200902287437966230   整理番号：08A0306492

炭化ケイ素上のシリカ

Silica on Silicon Carbide

著者 (2件)： PRESSER Volker (Eberhard Karls Univ. Tuebingen, Tuebingen, DEU) ,  NICKEL Klaus G. (Eberhard Karls Univ. Tuebingen, Tuebingen, DEU)
資料名： Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences  (Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences)
巻： 33  号： 1  ページ： 104P  発行年： 2008年01月 
JST資料番号： A0248B  ISSN： 1040-8436  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最も重要な非酸化物セラミックであり半導体であるSiCとそのポリタイプ(3C,6H,L5R,4H,2Hなど),その上にドライ又はウェット酸化により成長した化学量論組成のSiO₂膜,およびSiO₂/SiC界面の構造に関する最新の情報を概観し,酸化反応の機構と反応速度を議論した。SiCの酸化プロセスには間隙率,焼結助剤,結晶方位,表面処理,雰囲気組成,不純物などが関与し,酸化機構は複雑である。多数の酸化モデルが提案されているが,多くのSiC材料で線形-放物線時間則が成り立つことから,主として拡散律速プロセスである。SiO₂/SiC界面の電子特性は界面の急峻性の低さによってSiO₂/Si界面に比べて劣り,MOSキャパシタへの応用が限定されている。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  セラミック ,  化合物半導体 ,  ポリタイプ ,  *酸化 ,  反応機構 ,  反応速度 ,  モデリング ,  *MOS構造 ,  空隙率 ,  焼結 ,  結晶方位 ,  表面処理 ,  拡散律速 ,  結晶構造 ,  表面構造 ,  *界面 ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  焼結助剤

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 炭化ケイ素 ,  シリカ