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J-GLOBAL ID：200902287486362080   整理番号：03A0853486

フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計

Design of GaN Power-Device with Field Plate Structure

著者 (6件)： 斎藤渉 (東芝) ,  高田賢治 (東芝 研開セ) ,  蔵口雅彦 (東芝 研開セ) ,  津田邦男 (東芝 研開セ) ,  大村一郎 (東芝) ,  小倉常雄 (東芝)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 103  号： 344(CPM2003 117-131)  ページ： 65-70  発行年： 2003年10月03日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN-HEMTは,GaNの高い臨界電界と2DEGチャネルの...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： パワーデバイス

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： フィールド ,  GaNパワーデバイス ,  最適設計