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文献
J-GLOBAL ID:200902287504020842   整理番号:06A0384426

高性能完全空乏Siナノ細線(口径≦5nm)ゲート-オール-アラウンドCMOSデバイス

High-Performance Fully Depleted Silicon Nanowire (Diameter≦5nm) Gate-All-Around CMOS Devices
著者 (11件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: 383-386  発行年: 2006年05月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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抄録/ポイント
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ナノスケールCMOSに対しては,チャネル電位のより優れたゲー...
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  固体デバイス材料 

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