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J-GLOBAL ID：200902287645471287   整理番号：04A0190080

半導体の無損傷領域における不純物原子の超拡散

Superdiffusion of impurity atoms in damage-free regions of semiconductors
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著者 (2件)：
WADA T

WADA T について

(Nagoya Sangyo Univ., Aichi, JPN)

Nagoya Sangyo Univ., Aichi, JPN について

, 
FUJIMOTO H

FUJIMOTO H について

(Daido Inst. Technol., Nagoya, JPN)

Daido Inst. Technol., Nagoya, JPN について


資料名：
Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002  (Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002)

Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002 について


ページ： 780-787  発行年： 2003年 
JST資料番号： K20030106  ISSN： 1610-1634  ISBN： 3-527-40435-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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超拡散過程の影響を3層構造,GaAs/Si//Si/GaAs...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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化合物半導体

化合物半導体 について

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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電子ビームドーピング

電子ビームドーピング について

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分類 (2件)：
分類
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半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  固体中の拡散一般 
(BL06021L)

固体中の拡散一般 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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損傷

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不純物原子

不純物原子 について

, 
拡散

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