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J-GLOBAL ID：200902287882165514   整理番号：06A0054669

インダクタレス直交PLLとカスケード予等化送信機を持つ20Gb/s,256Mb・DRAM

A 20-Gb/s 256-Mb DRAM With an Inductorless Quadrature PLL and a Cascaded Pre-emphasis Transmitter

著者 (7件)： KIM Kyu-Hyoun (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  SOHN Young-Soo (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Chan-Kyoung (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  PARK Moonsook (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  LEE Dong-Jin (Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Woo-Seop (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  KIM Changhyun (Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 41  号： 1  ページ： 127-134  発行年： 2006年01月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリのI/Oデータ帯域幅はより高いシステム性能要求を満たす...

シソーラス用語： *DRAM ,...
準シソーラス用語： プリエンファシス ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  入出力インタフェイス  (JC04040J)

タイトルに関連する用語 (5件)： PLL ,  カスケード ,  予等化 ,  送信機 ,  DRAM