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J-GLOBAL ID：200902288081839544   整理番号：05A0196641

p-MOSトランジスタの埋め込み型ソース/ドレインを作製するためのSiGeの選択的エピタキシャル成長

APPLICATION OF SELECTIVE SIGE EIPTAXY FOR RECESSED SOURCE/DRAIN OF PMOS TRANSISTOR

著者 (8件)： KIM Y (Applied Materials, CA, USA) ,  SAMOILOV A (Applied Materials, CA, USA) ,  WASHINGTON L (Applied Materials, CA, USA) ,  MOROZ V (Synopsys, Inc., CA, USA) ,  LAM A (Applied Materials, CA, USA) ,  DALIDA N (Applied Materials, CA, USA) ,  KAWAGUCHI M (Applied Materials, CA, USA) ,  SHEN M (Applied Materials, CA, USA)
資料名： SiGe: Materials, Processing, and Devices  (SiGe: Materials, Processing, and Devices)
ページ： 77-88  発行年： 2004年 
JST資料番号： K20050013  ISBN： 1-56677-420-9  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-MOSトランジスタの埋め込み型ソース/ドレインを作製する...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： PMOS構造

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOSトランジスタ ,  埋め込み ,  ソース ,  ドレイン ,  作製 ,  SiGe ,  エピタキシャル成長