高励起GaNにおけるバンドギャップくりこみ

NAGAI T; INAGAKI T J; KANEMITSU Y

文献

J-GLOBAL ID：200902288111368657 整理番号：04A0151012

高励起GaNにおけるバンドギャップくりこみ

Band-gap renormalization in highly excited GaN

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巻： 84 号： 8 ページ： 1284-1286 発行年： 2004年02月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

6~300Kでの光ルミネセンス(PL)測定により,高励起Ga...

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半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

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