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J-GLOBAL ID：200902288135561202   整理番号：09A0201282

針状半導体ダイアモンド電子エミッターのパルスバイアス操作による電子放出特性とX線発生

Electron emission characteristics of needle type semiconductor diamond electron emitters by pulsed bias operation and X-ray generation

著者 (11件)： FUKUMOTO S. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HOMMA A. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KANEKO J.h. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  NISHIBAYASHI Y. (Sumitomo Electric Industries, Ltd., Hyougo, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Sumitomo Electric Industries, Ltd., Hyougo, JPN) ,  UEDA A. (Sumitomo Electric Industries, Ltd., Hyougo, JPN) ,  FUJITA F. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KAWAMURA S. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SATO K. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  IMAI T. (Sumitomo Electric Industries, Ltd., Hyougo, JPN) ,  FURUSAKA M. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 18  号： 2-3  ページ： 287-291  発行年： 2009年02月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 針状半導体ダイアモンド電子エミッターのパルスバイアス操作による電子放出特性を評価した。X線発生実験を行った。Fowler-Nordheimプロットにより,電界放出は,完全に電子放出を支配していることが確かめられた。N型ダイアモンド針を用いて最大放出電流4.2mAが達成された。1μm²より面積が小さい針状チップは4.2×10⁵A/cm²よりも大きい電子放出密度を与えた。Fowler-Nordheimプロットから得られた有効放出面積は10^-13cm²である。放出面積が1×10^-12cm²であることを適用すると,評価された電子放出密度は4.2×10⁹A/cm²より高い。さらに,平均放出電流は0.5~0.6mAである。この大きい電位放出は数秒間連続され,反復可能であった。電子放出に対する閾値電場は50kV/mm以上で,振動数5~10Hzで与えられた三角波バイアス電圧により30ms以下のパルス電子放出が得られた。改善された真空レベルとパルスバイアス動作によりダイアモンド電子エミッターの損傷を防ぎ,熱電放出およびDCモードの高バイアス電圧よりも良好な定常的電子放出が得られた。また,1時間の連続X線発生が達成された。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 半導体 ,  *ダイヤモンド ,  *針状晶 ,  *エミッタ【半導体】 ,  電子 ,  電圧 ,  パルス法 ,  *電子放出 ,  *X線発生 ,  電界放出 ,  放出 ,  電流 ,  閾値 ,  電場
準シソーラス用語： しきい電場 ,  バイアス電圧

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電子放出一般  (BM09010H)

タイトルに関連する用語 (8件)： 針状 ,  ダイアモンド ,  電子 ,  エミッター ,  パルス ,  バイアス ,  電子放出 ,  X線発生