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J-GLOBAL ID：200902288189816893   整理番号：04A0685830

InGaN量子井戸系の表面プラズモン増強発光体

Surface-plasmon-enhanced light emitters based on InGaN quantum wells

著者 (6件)： OKAMOTO K (California Inst. Technol., California, USA) ,  NIKI I (California Inst. Technol., California, USA) ,  SHVARTSER A (California Inst. Technol., California, USA) ,  NARUKAWA Y (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  SCHERER A (California Inst. Technol., California, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 3  号： 9  ページ： 601-605  発行年： 2004年09月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 工業化は1993年であるが最初の見込みが実現していないInG...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  量子井戸 ,  表面プラズモン ,  増強 ,  発光体