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J-GLOBAL ID：200902288289800986   整理番号：04A0812466

シアノ架橋配位高分子結晶表面の配位不飽和場を利用したNiおよびPdイオンの単原子修飾

著者 (7件)： 菅野豊 (山形大 大学院) ,  後藤昭人 (山形大 大学院) ,  栗原正人 (山形大 大学院) ,  坂本政臣 (山形大 大学院) ,  青野宏通 (愛媛大 工) ,  定岡芳彦 (愛媛大 工) ,  水上富士夫 (産総研 東北セ)
資料名： 錯体化学討論会講演要旨集  (Book of Abstracts. Symposium on Coodination Chemistry of Japan)
巻： 54th  ページ： 293  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： G0400B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ニッケル錯体 ,...
準シソーラス用語： 橋架け化合物

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分類 (2件)： 遷移金属錯体一般  (CE01040N) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

物質索引 (1件)： 2,2′-(オクタデシルイミノ)ビス(エタンアミン)

タイトルに関連する用語 (10件)： シア ,  架橋 ,  配位高分子 ,  結晶表面 ,  不飽和 ,  Ni ,  PD ,  イオン ,  単原子 ,  修飾