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J-GLOBAL ID：200902288316643421   整理番号：04A0242042

CoFeSiO-SiO₂多層グラニュラ膜によるギガヘルツ帯用薄膜インダクタとその電力モジュール向け応用

Thin-Film Inductor for Gigahertz Band With CoFeSiO-SiO₂ Multilayer Granular Films and Its Application for Power Amplifier Module

著者 (6件)： IKEDA K (Taiyo Yuden Co., Ltd., Gunma, JPN) ,  KOBAYASHI K (Taiyo Yuden Co., Ltd., Gunma, JPN) ,  OHTA K (Taiyo Yuden Co., Ltd., Gunma, JPN) ,  KONDO R (Taiyo Yuden Co., Ltd., Gunma, JPN) ,  SUZUKI T (Taiyo Yuden Co., Ltd., Gunma, JPN) ,  FUJIMOTO M (Taiyo Yuden Co., Ltd., Gunma, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 39  号： 5,Pt.2  ページ： 3057-3061  発行年： 2003年09月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広帯域符号分割多重アクセス(CDMA)のための薄膜電力モジュ...

シソーラス用語： *磁性合金 ,...
準シソーラス用語： グラニュラ膜 ,...

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分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiO2 ,  多層 ,  グラニュラ膜 ,  ギガヘルツ ,  薄膜インダクタ ,  電力モジュール ,  応用