文献
J-GLOBAL ID：200902288384341638   整理番号：03A0863389

帯域幅と効率を最大化するInP/InGaAs pinフォトダイオード構造

InP/InGaAs pin photodiode structure maximising bandwidth and efficiency
著者 (2件)：
MURAMOTO Y

MURAMOTO Y について

(NTT Corp., Kanagawa, JPN)

NTT Corp., Kanagawa, JPN について

, 
ISHIBASHI T

ISHIBASHI T について

(NTT Electronics Corp., Tokyo, JPN)

NTT Electronics Corp., Tokyo, JPN について


資料名：
Electronics Letters  (Electronics Letters)

Electronics Letters について


巻： 39  号： 24  ページ： 1749-1750  発行年： 2003年11月27日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
pinフォトダイオード(PD)の帯域幅が増加すると効率は低下...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
*フォトダイオード

フォトダイオード について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
吸収層

吸収層 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0863389&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光導電素子 
(NC03083X)

光導電素子 について

,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 
(BM03082Y)

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
帯域幅

帯域幅 について

, 
最大化

最大化 について

, 
InP

InP について

, 
InGaAs

InGaAs について

, 
PINフォトダイオード

PINフォトダイオード について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM