高励起状態のInGaN/GaN多量子井戸の光学的観測

WANG T; PARBROOK P J; FAN W H; FOX A M

文献

J-GLOBAL ID：200902288505382833 整理番号：04A0510887

高励起状態のInGaN/GaN多量子井戸の光学的観測

Optical investigation of InGaN/GaN multiple-quantum wells under high excitation

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巻： 84 号： 25 ページ： 5159-5161 発行年： 2004年06月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

試料は全てサファイア基板に金属有機化学蒸着で成長させた。観測...

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半導体のルミネセンス

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