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J-GLOBAL ID：200902288553427628   整理番号：04A0709898

AlNスパッタ薄膜の結晶品質と圧電応答性への酸素とアルゴンによる影響

Influence of oxygen and argon on the crystal quality and piezoelectric response of AlN sputtered thin films

著者 (8件)： VERGARA L (Univ. Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  CLEMENT M (Univ. Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  IBORRA E (Univ. Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  SANZ-HERVAS A (Univ. Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  LOPEZ J G (Centro Nacional de Aceleradores, Sevilla, ESP) ,  MORILLA Y (Centro Nacional de Aceleradores, Sevilla, ESP) ,  SANGRADOR J (Univ. Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  RESPALDIZA M A (Centro Nacional de Aceleradores, Sevilla, ESP)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 13  号： 4/8  ページ： 839-842  発行年： 2004年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SAWデバイス用のAlNスパッタ薄膜の残留応力,結晶構造及び...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： 圧電効果

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlN ,  スパッタ ,  薄膜 ,  結晶品質 ,  圧電応答 ,  酸素 ,  アルゴン