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J-GLOBAL ID：200902288589053040   整理番号：08A0701588

保護HRシリコン基板に導入された商用SOI技術のRF性能

RF Performance of a Commercial SOI Technology Transferred Onto a Passivated HR Silicon Substrate

著者 (2件)： LEDERER Dimitri (Farran Technol. Ltd., Co Cork, IRL) ,  RASKIN Jean-Pierre (Univ. Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55  号： 7  ページ： 1664-1671  発行年： 2008年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 商用の高抵抗(HR)SOI CMOS技術性能への保護層の影響を調査した。ここで保護層は埋設酸化膜(BOX)の下に位置する300nmの厚さのポリシリコンカバーより成り立つ。受動と能動の両方のデバイスを検討した。基板保護が酸化HRのSi基板における基板/BOX界面における寄生表面伝導に誘起される基板損失を完全に抑制することを示した。その結果はポリシリコン使用した基板保護がHRSOIウエハにおける基板損失を根絶する有望なツールであり,機能SOIロジックと高速回路の性能を高めることを示している。これらの発見は基板保護SOIウエハが混合信号RF応用において有望な候補であることを示唆している。

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *SOI構造 ,  ポリシリコン ,  酸化膜 ,  CMOS構造 ,  電気伝導 ,  損失 ,  通信信号 ,  表面伝導 ,  無線周波数 ,  *シリコンウエハ ,  化成皮膜 ,  MOS構造
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  高抵抗SOI ,  混合信号

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン基板 ,  SOI技術 ,  RF