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J-GLOBAL ID：200902288791970950   整理番号：03A0547761

オゾン混合酸素ガス雰囲気中での高温での(0001)4H-SiCの熱酸化

Thermal oxidation of (0001) 4H-SiC at high temperatures in ozone-admixed oxygen gas ambient

著者 (3件)： KOSUGI R (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA K (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. Ibaraki, JPN) ,  ARAI K (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 5  ページ： 884-886  発行年： 2003年08月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC MOSデバイスにおけるゲート酸化物の形成に,原子酸素...

シソーラス用語： *オゾン ,...
準シソーラス用語： トラップ【固体】

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： オゾン ,  酸素 ,  ガス雰囲気 ,  4H-SiC ,  熱酸化