文献

J-GLOBAL ID：200902289087232346   整理番号：08A0606641

量子点接触のテラヘルツ応答

Terahertz response of quantum point contacts

著者 (9件)： SONG J. W. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. at Buffalo, The State Univ. of New York, Buffalo, New York 14260-1920, USA) ,  KABIR N. A. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. at Buffalo, The State Univ. of New York, Buffalo, New York 14260-1920, USA) ,  KAWANO Y. (Advanced Device Lab., The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), 2-1, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  ISHIBASHI K. (Advanced Device Lab., The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), 2-1, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  AIZIN G. R. (Dep. of Physical Sciences, Kingsborough Coll. of the City Univ. of New York, Brooklyn, New York 11235, USA) ,  MOUROKH L. (Dep. of Physics, Queens Coll. of CUNY, 65-30 Kissena Blvd., Flushing, New York 11367, USA) ,  RENO J. L. (Nanostructure and Semiconductor Physics Dep., Sandia National Laboratories, P.O. Box 5800, Albuquerque, New Mexico ...) ,  MARKELZ A. G. (Dep. of Physics, Univ. at Buffalo, The State Univ. of New York, Buffalo, New York 14260-1920, USA) ,  BIRD J. P. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. at Buffalo, The State Univ. of New York, Buffalo, New York 14260-1920, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 22  ページ： 223115  発行年： 2008年06月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.4と2.5THzでの量子点接触の低温導電率における明確なテラヘルツ応答を測定した。光応答は加熱効果から生じないが,その代わりにテラヘルツ誘起ゲート電圧整流の古典モデルによって良く記述されることを示した。この効果は,以前に研究した整流機構から明白であり,テラヘルツ場により誘発したソースドレインとゲート電圧の位相依存干渉により決まる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *点接触 ,  応答 ,  低温 ,  *電気伝導率 ,  光照射 ,  加熱 ,  ゲート【半導体】 ,  電圧 ,  整流 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  位相 ,  干渉 ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： テラヘルツ

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子点接触 ,  テラヘルツ ,  応答