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J-GLOBAL ID：200902289227396018   整理番号：08A0499927

VLSI回路オンライン熱モニタリング用の90nm1-V CMOSを使った精度-1/+0.8°Cの温度センサ

A Temperature Sensor With an Inaccuracy of -1/+0.8°C Using 90-nm 1-V CMOS for Online Thermal Monitoring of VLSI Circuits

著者 (3件)： SASAKI Masahiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IKEDA Makoto (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ASADA Kunihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 21  号： 2  ページ： 201-208  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CPUの電力消費が130Wを超え,熱損傷を減らし信頼性を高めるために連続的温度モニタリングが必要になっている。ビルトイン温度センサが過剰接合温度とチップの平均温度を予測する。温度センサには3トランジスタが使われていて1.8Vの供給電源の場合は直線特性を示すが,90nmプロセスの1V電源では直線性が損なわれる。本稿では4トランジスタセンサを1V電源用に開発した。付加したトランジスタは飽和領域で動作し,動作点電流の温度係数傾斜を変えて各温度での動作点を適切な一に移動させる。センサの面積は11.6×4.1μm²と小さく約25μWの低電力である。センサ動作は非常に直線的であり,50°Cから125°C間の2点キャリブレーションを使った予測温度誤差は-1.0/+0.8°Cである。

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  温度係数 ,  *温度センサ ,  キャリブレーション ,  *超LSI ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  温度測定
準シソーラス用語： 低電力化

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (5件)： VLSI回路 ,  オンライン ,  モニタリング ,  CMOS ,  温度センサ