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J-GLOBAL ID：200902289587371288   整理番号：09A1276622

トランジスタペンキ 熱処理なしで再現性のある高移動度を示す環境に安定なN-アルキルジチエノピロールとビチアゾール系の共重合体薄膜トランジスタ

Transistor Paint: Environmentally Stable N-alkyldithienopyrrole and Bithiazole-Based Copolymer Thin-Film Transistors Show Reproducible High Mobilities without Annealing

著者 (8件)： LIU Junying (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  ZHANG Rui (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  OSAKA Itaru (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  MISHRA Sarada (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  JAVIER Anna E. (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  SMILGIES Detlef-M. (Cornell Univ., NY, USA) ,  KOWALEWSKI Tomasz (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  MCCULLOUGH Richard D. (Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 19  号： 21  ページ： 3427-3434  発行年： 2009年11月09日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高いキャリア移動度に加えて,良好な空気中の安定性と溶液加工性を有しているため,簡便な有機薄膜FETの作製原料として期待できる高分子半導体について報告した。ジチエノピロールの両側にC8~12アルキルチオフェンあるいはアルキルチアゾール分子が修飾した構造単位の共重合体を交差カップリング反応によって合成した。共重合体の構造や電気化学特性の測定と共に,クロロホルム溶液の液滴キャスト法で,ケイ素基板上にボトム接合構造で薄膜FETを作製した。1⁶オン/オフ電流比率で,0.14cm²/Vsの高い電界効果移動度が得られた。

シソーラス用語： *有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  製膜 ,  湿式法 ,  高分子薄膜 ,  共重合体 ,  硫黄複素環化合物 ,  窒素複素環化合物 ,  キャリア移動度 ,  チアゾール類
準シソーラス用語： チアゾール誘導体

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (8件)： トランジスタ ,  ペンキ ,  熱処理 ,  再現性 ,  高移動度 ,  環境 ,  共重合体 ,  薄膜トランジスタ