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J-GLOBAL ID：200902289593727930   整理番号：06A0145613

液滴からの20面体Si量子ドット形成の分子動力学シミュレーション

Molecular dynamics simulation of icosahedral Si quantum dot formation from liquid droplets
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著者 (4件)：
NISHIO Kengo

NISHIO Kengo について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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MORISHITA Tetsuya

MORISHITA Tetsuya について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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SHINODA Wataru

SHINODA Wataru について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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MIKAMI Masuhiro

MIKAMI Masuhiro について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について


資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 72  号： 24  ページ： 245321.1-245321.4  発行年： 2005年12月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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Si量子ドット(QD)形成過程を分子動力学シミュレーションに...
シソーラス用語：
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*ケイ素

ケイ素 について

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分類 (1件)：
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

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Si

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量子ドット

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分子動力学シミュレーション

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