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J-GLOBAL ID：200902289742189360   整理番号：08A1109692

荷電を有するサファイア(0001)表面でのフッ素化イオン液体の分子層の形成

Molecular Layering of Fluorinated Ionic Liquids at a Charged Sapphire (0001) Surface

著者 (15件)： MEZGER Markus (Max-Planck-Inst. Metallforschung, Stuttgart, DEU) ,  SCHROEDER Heiko (Max-Planck-Inst. Metallforschung, Stuttgart, DEU) ,  REICHERT Harald (Max-Planck-Inst. Metallforschung, Stuttgart, DEU) ,  SCHRAMM Sebastian (Max-Planck-Inst. Metallforschung, Stuttgart, DEU) ,  OKASINSKI John S. (Max-Planck-Inst. Metallforschung, Stuttgart, DEU) ,  SCHOEDER Sebastian (Max-Planck-Inst. Metallforschung, Stuttgart, DEU) ,  SCHOEDER Sebastian (European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, FRA) ,  HONKIMAEKI Veijo (European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, FRA) ,  DEUTSCH Moshe (Bar-Ilan Univ., Ramat-Gan, ISR) ,  OCKO Benjamin M. (Brookhaven National Lab., NY, USA) ,  RALSTON John (Univ. South Australia, SA, AUS) ,  ROHWERDER Michael (Max-Planck-Inst. Eisenforschung, Duesseldorf, DEU) ,  STRATMANN Martin (Max-Planck-Inst. Eisenforschung, Duesseldorf, DEU) ,  DOSCH Helmut (Max-Planck-Inst. Metallforschung, Stuttgart, DEU) ,  DOSCH Helmut (Universitaet Stuttgart, Stuttgart, DEU)
資料名： Science  (Science)
巻： 322  号： 5900  ページ： 424-428  発行年： 2008年10月17日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 荷電を有する固体Al₂O₃(0001)との界面でのトリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートアニオン([FAP]^-)を含む3種類の室温イオン液体(RTILs)の温度に依存する構造について,高分解能X線反射率測定によって研究した。反射率R(q)のノーマル運動量移動,q=(4π/λ)sinα(αは入射角,λはX線波長)に対する依存性はq=0.8A^-1付近に深い谷を有し,界面でカチオンとアニオンが交互に積層された約8Åのピッチの層状構造の形成を示唆した。層状RTILsの電子密度の膜厚依存性から,層状構造はカチオン層が基板表面上に存在した状態からスタートし,指数関数的にバルクの液体へ向かって減衰する。観測された減衰長さと層状構造のピッチから,界面での規則性は荷電反転効果に類似した機構に従うと推定した。

シソーラス用語： *サファイア ,  *イオン液体 ,  *フッ素化合物 ,  X線反射 ,  反射率 ,  層状組織 ,  依存性 ,  薄膜 ,  *多分子層 ,  運動量移動 ,  電子密度 ,  温度依存性 ,  フルオロリン酸塩 ,  フロン
準シソーラス用語： *室温イオン液体 ,  膜厚依存性

分類 (1件)： 固-液界面  (CB12050B)

物質索引 (1件)： ペンタフルオロエタン

タイトルに関連する用語 (5件)： 荷電 ,  サファイア ,  フッ素化 ,  イオン液体 ,  分子