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J-GLOBAL ID：200902289808348383   整理番号：04A0487980

パルスレーザ堆積法により作製したイオンドープCdWO₄薄膜の光ルミネセンス強度増大

Photoluminescence intensity enhancement of ion-doped CdWO₄ thin films prepared with pulsed laser deposition

著者 (3件)： CHOO C-K (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  SUZUKI S (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  TANAKA K (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 458  号： 1/2  ページ： 179-185  発行年： 2004年06月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シンチレータとして重要なアンドープ及びSm,Ni,Csイオン...

シソーラス用語： *カドミウム化合物 ,...

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ堆積 ,  作製 ,  イオン ,  ドープ ,  薄膜 ,  光ルミネセンス ,  強度増大