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J-GLOBAL ID：200902290120068008   整理番号：08A0383269

電流注入青色GaN系垂直共振器形面発光レーザの連続波レーザ発振

CW lasing of current injection blue GaN-based vertical cavity surface emitting laser

著者 (5件)： LU Tien-chang (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  KAO Chih-chiang (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  KUO Hao-chung (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  HUANG Gen-sheng (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  WANG Shing-chung (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 14  ページ： 141102  発行年： 2008年04月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的にポンプしたGaN系垂直共振器形面発光レーザ(VCSEL)の連続波レーザ発振を報告した。GaN系VCSELは光学的厚み5λのGaN混成微小空洞中に埋込んだ十対のInGaN/GaN多重量子井戸活性層を持ち,エピタクシー成長させたAlN/GaN分布Bragg反射器(DBR)とTa₂O₅/SiO₂誘電性DBRで与えられる二枚の高反射率鏡を有する。連続波レーザ発振の閾値注入電流は77Kにおいて1.4mAであった。レーザは462nmの青色を発光し,線幅は約0.15nmと狭かった。レーザビームの発散角は約11.7°,偏光比は80%であった。測定した自発的結合効率は7.5×10^-2であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 注入 ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  連続レーザ ,  レーザ発振 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  多重量子井戸 ,  *エピタクシー ,  窒化アルミニウム ,  反射器 ,  効率
準シソーラス用語： 電流注入 ,  VCSEL ,  分布Bragg反射器 ,  結合効率

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電流注入 ,  青色 ,  GaN ,  垂直共振器形面発光レーザ ,  連続波レーザ