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J-GLOBAL ID：200902290121468387   整理番号：08A0559009

単層カーボンナノチューブの密で完全に整列した配列を用いた高性能エレクトロニクス

High-performance electronics using dense, perfectly aligned arrays of single-walled carbon nanotubes

著者 (8件)： KANG Seong Jun (Univ. Illinois at Urbana Champaign, Illinois, USA) ,  KOCABAS Coskun (Univ. Illinois at Urbana Champaign, Illinois, USA) ,  OZEL Taner (Univ. Illinois at Urbana Champaign, Illinois, USA) ,  SHIM Moonsub (Univ. Illinois at Urbana Champaign, Illinois, USA) ,  PIMPARKAR Ninad (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  ALAM Muhammad A. (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  ROTKIN Slava V. (Lehigh Univ., Pennsylvania, USA) ,  ROGERS John A. (Univ. Illinois at Urbana Champaign, Illinois, USA)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 2  号： 4  ページ： 230-236  発行年： 2007年04月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長く完全に直線的な単層カーボンナノチューブ(SWNT)の密に完全に整列した配列の,トランジスタ及び他の種類の電子素子への集積に対する薄膜半導体としての使用について報告した。鉄触媒のパターン化したストライプとメタン供給ガスを用いた安定温度の切り出した石英ウエハ上への化学気相堆積(CVD)によって,平均直径が約1nmで300μmまでの長さで,約10SWNTsμm^-1の密度のSWNTの配列を形成した。SWNTの整列した配列を用いたトランジスタのキャパシタンス効果と密度スケーリング研究を示した。また,半導体としてSWNTの整列した配列を用いたトランジスタの高いオン/オフ比と電流出力とトランスコンダクタンスを示した。さらに,CMOS及びPMOS論理ゲートの特性も示した。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  半導体薄膜 ,  *化学蒸着 ,  基板 ,  石英 ,  *配列 ,  *静電容量 ,  密度 ,  *スケール則 ,  *相互コンダクタンス ,  金属触媒 ,  鉄 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： キャパシタンス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層カーボンナノチューブ ,  整列 ,  高性能 ,  エレクトロニクス