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J-GLOBAL ID:200902290142866226   整理番号:08A0604612

溶液処理が可能な電界効果トランジスタに用いる有機半導体(OFET)

Organic Semiconductors for Solution-Processable Field-Effect Transistors (OFETs)
著者 (5件):
資料名:
巻: 47  号: 22  ページ: 4070-4098  発行年: 2008年 
JST資料番号: H0127B  ISSN: 1433-7851  CODEN: ACIEAY  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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a-Siから電界効果トランジスタを作製するためには350°C以上の高温での処理が要求される。一方,最近注目されている有機電界効果トランジスタ(OFET)の場合は処理温度も低く,溶液処理が可能であるためコスト的にも加工技術の面からも効率的である。本レビューではOFETの作製とその作用特性について簡単に解説した後,最近開発され,実用的にも注目されているOFETに用いる可溶性有機半導体を以下の化合物毎にまとめた。1)低分子量化合物 A.アセンとヘテロアセン,B.オリゴチオフェン,C.液晶物質,2)ポリマ物質 A.ポリチオフェン,B.立体規則性ポリ(3-アルキルチオフェン),C.ポリ(クオータチオフェン),D.ポリフルオレンとフルオレン型共重合体,E.チオフェン主体の交互共重合体,F.ポリ(2,5-チエニレンビニレン),G.ポリトリフェニルアミン。
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分類 (4件):
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チオフェンの縮合誘導体  ,  高分子固体の物理的性質  ,  有機化合物の電気伝導  ,  トランジスタ 
物質索引 (1件):
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タイトルに関連する用語 (4件):
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