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J-GLOBAL ID：200902290429915023   整理番号：09A0389606

MOSトランジスタの直列運転のための磁気的な連鎖結合によるゲート駆動回路

Gate Driving Circuit by Magnetic Chain Mechanism for Series Connection of Field Effect Transistors

著者 (5件)： 海野聡平 (茨城大学工学部電気電子工学科 高電圧パルスパワー研究室) ,  金高崇 (茨城大学工学部電気電子工学科 高電圧パルスパワー研究室) ,  岩瀬千克 (茨城大学工学部電気電子工学科 高電圧パルスパワー研究室) ,  柳平丈志 (茨城大学工学部電気電子工学科 高電圧パルスパワー研究室) ,  鶴田浩一 (茨城大学工学部電気電子工学科 高電圧パルスパワー研究室)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 129  号： 4  ページ： 257-262 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体パワースイッチとして,MOSトランジスタの立ち上がり時間が数ナノ秒である,が,耐圧は1kV程度までである。MOSトランジスタを直列接続することで,素子の耐圧以上の高電圧スイッチングが高速でできると考えられる。本研究では,直列接続したMOSトランジスタのゲート駆動を容易にするため,1個のトランジスタにのみゲートドライバ電源からの信号を与えると,他のトランジスタも,連鎖的にオンしていく駆動回路を提案した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  直列運転 ,  *ゲート回路 ,  スイッチ ,  シェル ,  フィードバック ,  *スイッチング ,  *時間
準シソーラス用語： *MOSトランジスタ ,  *ゲート駆動回路 ,  パワースイッチ ,  *立上り時間

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (3件)：

• (1) K. Yan, E. J. M. van Heesch, S. A. Nair, and A. J. M. Pemen : “A triggered spark-gap switch for high-repetition rate high-voltage pulse generation”, Electrostatics, Vol. 57, pp. 29-33 (2003)
• (2) W. Jiang and K. Yatsui : “Compact Pulsed Power Generators for Industrial Applications”, IEEJ Trans. FM, Vol. 124, No. 6, pp. 451-455 (2004)
• (3) T. Sakugawa, T. Namihira, S. Katsuki, H. Akiyama, T. Osada, and T. Koganezawa : “Application of Solid-State Pulsed Power Generators to Equipment Using Plasmas”, J. Plasma Fusion Res., Vol. 81, No. 5, pp. 350-354 (2005)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOSトランジスタ ,  直列 ,  磁気 ,  連鎖 ,  ゲート駆動回路