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J-GLOBAL ID：200902290599107410   整理番号：09A0887046

49GHzの3dB帯域幅をもつSi上のGe pinフォトダイオード

Ge-on-Si p-i-n Photodiodes With a 3-dB Bandwidth of 49GHz

著者 (5件)： KLINGER S. (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  BERROTH M. (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  KASCHEL M. (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  OEHME M. (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  KASPER E. (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 21  号： 13/16  ページ： 920-922  発行年： 2009年07月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siバルク基板上に分子ビームエピタクシーにより成長させたGe pinフォトダイオードを示した。デバイスの変調帯域幅を測定するため,Agilentの光波コンポーネントアナライザ(LCA)を使用した。そのLCAを用いて,1550nmにおいてGe pinフォトダイオードの周波数応答を測定した。-2Vのバイアス電圧において,最大の帯域幅は49GHzであった。従来の場合と比較して,帯域幅の増加は主に直列抵抗の減少によるものである。約50GHzの応答測定は,67GHzまでの測定が可能なLCAに基づいて改善された測定装置による。

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  PIN接合 ,  ゲルマニウム ,  広帯域 ,  MBE成長 ,  帯域幅 ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  周波数応答 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 帯域幅 ,  Si ,  Ge ,  PINフォトダイオード