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J-GLOBAL ID：200902291110749038   整理番号：04A0285471

集積オーム性接触と高次κ-ゲート誘電体による炭素ナノチューブの電界効果トランジスタ

Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Integrated Ohmic Contacts and High-k Gate Dielectrics

著者 (8件)： JAVEY A (Stanford Univ., California) ,  GUO J (Purdue Univ., Indiana) ,  FARMER D B (Harvard Univ., Massachusetts) ,  WANG Q (Stanford Univ., California) ,  WANG D (Stanford Univ., California) ,  GORDON R G (Harvard Univ., Massachusetts) ,  LUNDSTROM M (Purdue Univ., Indiana) ,  DAI H (Stanford Univ., California)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 4  号： 3  ページ： 447-450  発行年： 2004年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オーム性金属-ナノチューブ接触,ゲート絶縁体としての高誘電定...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： CNTFET

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 集積 ,  オーム性接触 ,  ゲート誘電体 ,  炭素ナノチューブ ,  電界効果トランジスタ