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J-GLOBAL ID：200902291320109279   整理番号：09A0251278

プラズモスタ(PlasMOStor) 金属-酸化物-Si電界効果プラズモン変調子

PlasMOStor: A Metal-Oxide-Si Field Effect Plasmonic Modulator

著者 (4件)： DIONNE Jennifer A. (California Inst. of Technol., California) ,  DIEST Kenneth (California Inst. of Technol., California) ,  SWEATLOCK Luke A. (California Inst. of Technol., California) ,  ATWATER Harry A. (California Inst. of Technol., California)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 9  号： 2  ページ： 897-902  発行年： 2009年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETの微細化の限界,すなわち誘電体層のLC遅延を克服する次世代デバイスとして光デバイスの可能性が検討されている。その一つとしてプラズモスタ(PlasMOStor)の可能性を検討した。MOSと類似の構造を有し,半導体(ゲート)層の代わりにSiプラズモン導波層を用い,光ソースとドレインとの間の近赤外光透過率をゲート電圧によって制御することができることを示した。ゲート酸化膜を光チャネルとして用い,光の波長の半分のデバイス体積中で電子-光変調を実現した。

シソーラス用語： *表面プラズモン ,  *導波路 ,  *変調器 ,  MOS構造 ,  電圧依存性 ,  ゲート【半導体】 ,  近赤外線 ,  OEIC
準シソーラス用語： プラズモスタ ,  光電子集積回路

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物 ,  Si ,  電界効果 ,  プラズモン