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J-GLOBAL ID：200902292313408470   整理番号：04A0599072

多結晶ゲルマニウムの応力支援横方向成長に基づく柔軟性プラスチック基板上の薄膜トランジスタ

Thin-film tunneling transistors on flexible plastic substrates based on stress-assisted lateral growth of polycrystalline germanium

著者 (4件)： HEKMATSHOAR B (Univ. Tehran, Tehran, IRN) ,  MOHAJERZADEH S (Univ. Tehran, Tehran, IRN) ,  SHAHRJERDI D (Univ. Tehran, Tehran, IRN) ,  ROBERTSON M D (Acadia Univ., NS, CAN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 85  号： 6  ページ： 1054-1056  発行年： 2004年08月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質Ge薄膜の応力支援Cu誘起横方向結晶化を利用して,柔軟...

シソーラス用語： 多結晶 ,...
準シソーラス用語： 柔軟性基板 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多結晶 ,  ゲルマニウム ,  応力 ,  支援 ,  横方向成長 ,  プラスチック基板 ,  薄膜トランジスタ