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J-GLOBAL ID：200902292513810230   整理番号：09A0098377

ナフタレンジイミド系半導体における薄膜モルホロジー制御: 有機薄膜トランジスタ用高移動度n-型半導体

Thin-Film Morphology Control in Naphthalene-Diimide-Based Semiconductors: High Mobility n-Type Semiconductor for Organic Thin-Film Transistors

著者 (7件)： SHUKLA Deepak (Eastman Kodak Co., New York) ,  NELSON Shelby F. (Eastman Kodak Co., New York) ,  FREEMAN Diane C. (Eastman Kodak Co., New York) ,  RAJESWARAN Manju (Eastman Kodak Co., New York) ,  AHEARN Wendy G. (Eastman Kodak Co., New York) ,  MEYER Dianne M. (Eastman Kodak Co., New York) ,  CAREY Jeffrey T. (Eastman Kodak Co., New York)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 20  号： 24  ページ： 7486-7491  発行年： 2008年12月23日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスタ用高移動度n-型半導体として,ナフタレンジイミド(NDI)系半導体薄膜のモルホロジー制御を報告した。N,N′-ビス(ヘキシル),及びN,N′-ビス(シクロヘキシル)NDIを合成し,その薄膜モルホロジーをAFMにより調べた。N,N′-ビス(シクロヘキシル)NDIはシクロヘキシル基が椅子型の剛直な立体配座で固定され,より密な充填により電界効果移動度が著しく向上することを見いだした。N,N′-ビス(シクロヘキシル)NDIをn-型有機半導体とする有機薄膜トランジスタ(OTFT)素子は電解効果移動度6cm²V^-1s^-1の高性能を示した。

シソーラス用語： 芳香族縮合化合物 ,  イミド ,  *有機半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  N型半導体 ,  *キャリア移動度 ,  *半導体薄膜 ,  モルフォロジー ,  置換基効果

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

物質索引 (2件)： 2,7-ビスシクロヘキシルベンゾ[lmn][3,8]フェナントロリン-1,3,6,8(2H,7H)-テトラオン ,  2,7-ジヘキシルベンゾ[lmn][3,8]フェナントロリン-1,3,6,8(2H,7H)-テトラオン

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  モルホロジー ,  有機薄膜トランジスタ ,  高移動度 ,  型