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J-GLOBAL ID：200902292805108617   整理番号：08A0617129

イットリウムの位置選択性等価ドーピングによる六方晶系ランタンゲルマニウム酸塩アパタイトの合成

Synthesis of hexagonal lanthanum germanate apatites through site selective isovalent doping with yttrium

著者 (2件)： KENDRICK E. (Chemistry, Univ. of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, GBR) ,  SLATER P.r. (Chemistry, Univ. of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, GBR)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 43  号： 8-9  ページ： 2509-2513  発行年： 2008年08月04日 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アパタイト型のランタンケイ酸塩/ゲルマニウム酸塩が新しい酸化物イオン電導体として注目を浴びている。この電導性は酸化物イオン格子間原子が介在することによって生じている。ゲルマニウム酸塩に関しては,その組成に依存していて,セルが六方晶系または三斜晶系かその両方であり,後者によって低温電導性を低下させているが,この対称性の低いセル中で欠陥トラッピングを増加するのに寄与していることが分かった。今回の報告で,三斜晶系アパタイト酸化物イオン電導体のLa_9.33+ζ(GeO₄)₆O_2+3ζ/2(0.330≦ζ≦0.67)にYの位置選択性等価ドーピングによって六方晶格子が生成され,それに対応して低温電導性が増強されていることが分かった。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イットリウム ,  位置特異性反応 ,  *ドーピング ,  六方晶系 ,  *ゲルマニウム酸塩 ,  導体 ,  燐灰石 ,  導電性 ,  酸化物 ,  三斜晶系 ,  X線回折分析 ,  イオン伝導 ,  固溶体 ,  結晶構造 ,  *導体材料
準シソーラス用語： アパタイト ,  位置選択性反応 ,  電導体

分類 (2件)： 導体材料  (NA04020L) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (8件)： イットリウム ,  位置選択性 ,  等価 ,  ドーピング ,  六方晶系 ,  ランタン ,  ゲルマニウム酸塩 ,  アパタイト