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J-GLOBAL ID：200902292971826811   整理番号：08A1178538

スピネル型CuV₂S₄単結晶の光電子放出分光

Photoemission Spectroscopy of Spinel-Type CuV₂S₄ Single Crystal

著者 (7件)： OKADA Hironari (Tohoku Univ., Sendai) ,  KOYAMA Keiichi (Tohoku Univ., Sendai) ,  NAKATAKE Masashi (Hiroshima Univ., Hiroshima) ,  SHIMADA Kenya (Hiroshima Univ., Hiroshima) ,  NAMATAME Hirofumi (Hiroshima Univ., Hiroshima) ,  TANIGUCHI Masaki (Hiroshima Univ., Hiroshima) ,  WATANABE Kazuo (Tohoku Univ., Sendai)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 77  号： 11  ページ： 114711.1-114711.5  発行年： 2008年11月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピネル型化合物における電荷密度波(CDW)遷移を横切る電子構造変化を明確にするために,シンクロトロン放射を用いた単結晶CuV₂S₄の光電子分光研究を行った。光エネルギー依存研究は,励起エネルギーhν=54.5eVにおける共鳴増倍を経験する,Fermi準位(E_F)直下のピーク構造を示した。このエネルギーはV 3p-3d閾値エネルギーに対応しており,したがって,E_F状態密度(DOS)が,主に,V 3d状態からなることを示唆した。温度依存測定から,E_F及びその近くにおいて,CDW転移温度を横切る擬ギャップの形成をもたらす,スペクトルDOSにおける低減を観測した。価電子帯頂部に同定した,0.05eVの擬ギャップエネルギースケールは,BCS的転移から予測される値よりかなり大きかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スピネル型結晶 ,  *銅化合物 ,  *バナジウム化合物 ,  *硫化物 ,  単結晶 ,  *電荷密度波 ,  *電子構造 ,  シンクロトロン放射 ,  Fermi準位 ,  閾値 ,  状態密度 ,  温度依存性 ,  転移温度 ,  BCS理論
準シソーラス用語： *光電子分光

分類 (2件)： 電子構造一般  (BM02010K) ,  一般及び無機化合物の電子分光スペクトル(分子)  (BH06091Y)

引用文献 (25件)：

• FLEMING, R. M. Phys. Rev. B. 1981, 24, 2850
• OKADA, H. J. Phys. Soc. Jpn. 2004, 73, 3227
• OKADA, H. AIP Conf. Proc. 2006, 850, 1317
• DISALVO, F. J. Phys. Rev. B. 1982, 26, 2501
• MAHY, J. J. Solid State Chem. 1987, 68, 320

タイトルに関連する用語 (4件)： スピネル ,  単結晶 ,  光電子放出 ,  分光