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J-GLOBAL ID：200902293065188120   整理番号：03A0880050

高強度反応焼結炭化けい素の開発

Development of high-strength reaction-sintered silicon carbide

著者 (3件)： SUYAMA S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KAMEDA T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  ITOH Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 12  号： 3/7  ページ： 1201-1204  発行年： 2003年03月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応焼結SiC(RS-SiC)は曲げ強さが300MPaと劣る...

シソーラス用語： 反応焼結 ,...

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分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高強度 ,  反応焼結 ,  炭化けい素 ,  開発