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J-GLOBAL ID：200902293142967994   整理番号：08A1062716

設計による耐放射線法による集積回路性能の改善

Improving Integrated Circuit Performance Through the Application of Hardness-by-Design Methodology

著者 (1件)： LACOE Ronald C. (Aerospace Corp., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 55  号： 4,Pt.1  ページ： 1903-1925  発行年： 2008年08月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 宇宙空間機器システム性能の向上は高性能,低電力,耐放射線性のマイクロエレクトロニクスの部品を必要とし,衛星系は命令・制御機能,信号収集・処理機能及びデータ貯蔵のためのマイクロエレクトロニクスを使用する。高性能がCMOS-IC製造会社で達成できると,放射線効果の軽減を必要となる。本論文では,トランジスタレベル,セルレベル,及びシステムレベルでの市販CMOS製造会社での耐放射線性構成要素の製作法を記述した。このアプローチは「設計による耐放射線性」(HBD)と呼ばれている新しい設計とレイアウトによる放射線効果の軽減法である。ゲート酸化物,トランジスタ端及び分離酸化物による全電離線量(TID)放射線のチャージング効果を論じた。さらに,ここでは市販のCMOSプロセスの固有な耐放射線性の傾向も論じた。

シソーラス用語： *MOS集積回路 ,  CMOS構造 ,  SEU【シングルイベント】 ,  電離放射線 ,  *耐放射線性 ,  マイクロプロセッサ ,  ASIC ,  放射線帯 ,  ゲート【半導体】 ,  酸化ケイ素 ,  *照射損傷 ,  MOS構造

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 設計 ,  射線法 ,  集積 ,  回路性能