第6世代パワーMOSFET SuperFAP-E<sup>3S</sup>低Q<sub>g</sub>シリーズ

ARAKI Ryu; HARA Yukihito; WATANABE Sota

文献

J-GLOBAL ID：200902293345787231 整理番号：09A0657943

第6世代パワーMOSFET SuperFAP-E^3S低Q_gシリーズ

6th Generation Power MOSFET Super FAP-E^3S Low Q_g Series

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著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 55 号： 2 ページ： 56-60 発行年： 2009年05月20日
JST資料番号： S0167A ISSN： 0429-8284 CODEN： FUERB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

低いゲート電荷特性によりスイッチング性能の改善を実現した,富士電機が新しく開発したパワーMOSFETのSuperFAP-E^3S低Q_gシリーズの特性と応用について述べた。SuperFAP-E^3S低Q_g製品は,SuperFAP-E³のコンセプトの”低いオン抵抗特性による低損失,低雑音,破損に強く使いやすい”に基づいており,さらにスイッチング特性の改善を狙った。ターンオフ損失を減らし,スイッチング性能を改善するためにQ_gを低減した。さらに,ターンオンでのラッシュ電流により生ずる雑音を低減するために,利得特性,g_fsを減らした。応用例として,PFC回路およびフライバック回路での解析結果を示した。

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トランジスタ

引用文献 (1件)：

Kobayashi, T. et al. High-voltage Power MOSFETs Reached Almost to the Silicon Limit. Proceedings of ISPSD’01.2001. p. 435-438.

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第6世代パワーMOSFET SuperFAP-E3S低Qgシリーズ

第6世代パワーMOSFET SuperFAP-E^3S低Q_gシリーズ