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J-GLOBAL ID:200902293346320973   整理番号:09A0620909

ビスマスナノワイヤの熱電性質の平均自由行程制限

Mean free path limitation of thermoelectric properties of bismuth nanowire
著者 (9件):
資料名:
巻: 105  号: 11  ページ: 113706  発行年: 2009年06月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ビスマスマイクロワイヤおよびナノワイヤ試料の,抵抗率とSeebeck係数の温度およびワイヤ直径依存性をよりよく理解するために,制限平均自由行程を考えた。平均自由行程に制限された移動度を,バルクビスマス試料で実験的に測定された移動度から数値計算し,電子および空孔移動度が10μm平均自由行程まで劇的に減少した。したがって,非常に細いワイヤ中の抵抗率の温度依存性はバルク試料の場合と全く異なり,正の温度係数をもつ。計算は,温度係数が平均自由行程の減少とともに徐々に減少し,約150Kで1μm以下の平均自由行程に対して係数が負になることを示した。Seebeck係数も計算したが,抵抗率に比べて,弱い平均自由行程依存性を示すのみであった。ビスマスマイクロワイヤおよびナノワイヤの前回の測定と実験的比較を行い,抵抗率とSeebeck係数の温度およびワイヤ直径依存性は,定性的にも定量的にも良く一致した。したがって,直径850nmを超えるナノワイヤ試料の温度依存性は,平均自由行程制限を用いてよく記述される。(翻訳著者抄録)
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金属の電子伝導一般 
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