文献

J-GLOBAL ID：200902293425714138   整理番号：08A0149266

触媒基準エッチング法

Catalyst-referred etching

著者 (5件)： 原英之 (大阪大 大学院工学研究科) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院工学研究科) ,  有馬健太 (大阪大 大学院工学研究科) ,  山内和人 (大阪大 大学院工学研究科) ,  山内和人 (大阪大 大学院工学研究科 超精密科学研究セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 77  号： 2  ページ： 168-171  発行年： 2008年02月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 結晶表面をダメージレスに原子レベルで平坦化する新しい加工法と...

シソーラス用語： *エッチング ,...
準シソーラス用語： *化学的機械的平坦化

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• 土肥俊郎. 諸説・半導体CMP技術. 2001
• 山内和人. 特開2006-114632
• HARA, H. J. Electron. Mater. 2006, 35, L11
• 松波弘之. 半導体SiC技術と応用. 2003
• KATO, T. Mater. Sci. Forum. 2007, 556, 753

タイトルに関連する用語 (2件)： 触媒 ,  エッチング