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J-GLOBAL ID：200902293586466134   整理番号：09A0818160

n型GaP結晶(111)面のNaOH水溶液におけるアノード溶解

Anodic Dissolution of n-GaP (111) Surfaces in Aqueous NaOH Solutions

著者 (2件)： 菅原茂夫 (秋田大学工学資源学部材料工学科) ,  鎌田直治 (秋田大学工学資源学部材料工学科)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 73  号： 8  ページ： 613-617 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： n型GaP結晶中の欠陥分布や数密度を評価する最も簡便な方法は化学腐食法であるが,電気化学的な溶解によっても構造欠陥を現出できる。本研究では,電解液に0.1~0.5kmol/m³のNaOH水溶液を用いてn型GaP結晶(111)面を30V以下の電圧でアノード溶解し,表面の溶解形態を調べた。16V以上の電圧で活性溶解が生じた。濃度0.3kmol/m³,電圧25Vで長時間1.8×10³sの溶解によって平滑面が得られたが,微小ピットが残存した。一方,濃度0.2kmol/m³,電圧16Vでは欠陥位置に黒および白色の線状および黒点状の腐食模様が顕著に現れた。黒点部では形態の異なる2種類のひげ結晶が確認された。アノード溶解には正孔の形成が不可欠であり,転位の周辺では正孔が不足するためにひげ結晶が溶け残ると推論された。

シソーラス用語： *リン化ガリウム ,  N型半導体 ,  発光ダイオード ,  *格子欠陥 ,  *陽極溶解 ,  *微細構造 ,  水酸化ナトリウム ,  電圧依存性 ,  表面構造 ,  エッチピット ,  ホイスカ ,  正孔 ,  単結晶 ,  ウエハ【IC】 ,  転位【結晶】 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： GaP ,  結晶欠陥 ,  微細組織 ,  表面形態 ,  ひげ結晶

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (10件)：

• 1) A. Tanaka: Handbook for Crystal Growth, (Kyoritsu Shuppan, Tokyo, 1995) pp. 430-434.
• 2) J. L. Richards and A. J. Crocker: J. Appl. Phys. 31(1960) 611-613.
• 3) M. S. Abrahams and C. J. Buiocchi: J. Appl. Phys. 36(1965) 2855-2863.
• 4) S. Sugawara: J. Japan Inst. Metals 63(1999) 435-439.
• 5) S. Sugawara and Y. Sato: Mater. Trans. JIM 41(2000) 264-267.

タイトルに関連する用語 (4件)： GAP ,  結晶 ,  NaOH水溶液 ,  アノード溶解