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J-GLOBAL ID：200902293625037653   整理番号：04A0657075

複合体VO₂-SiO₂保護層からのけい素上の切り替え可能な反射率

Switchable reflectivity on silicon from a composite VO₂-SiO₂ protecting layer

著者 (5件)： LOPEZ R (Oak Ridge National Lab., Tennessee) ,  BOATNER L A (Oak Ridge National Lab., Tennessee) ,  HAYNES T E (Oak Ridge National Lab., Tennessee) ,  HAGLUND R F JR (Vanderbilt Univ., Tennessee) ,  FELDMAN L C (Vanderbilt Univ., Tennessee)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 85  号： 8  ページ： 1410-1412  発行年： 2004年08月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siの単結晶上に,反射率を熱的にコントロールできる表面を作製...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  保護層 ,  けい素 ,  切り替え ,  反射率