準安定電子放出顕微観察と光電子放出顕微観察によって調べた構造化SiO<sub>2</sub>/Si(100)上へのCuPc薄膜の成長

ONOUE M; IBE T; MIYAUCHI J; SHIONOIRI M; ABDUREYM A; KERA S; OKUDAIRA K K; HARADA Y; UENO N

文献

J-GLOBAL ID：200902293670456993 整理番号：03A0489706

準安定電子放出顕微観察と光電子放出顕微観察によって調べた構造化SiO₂/Si(100)上へのCuPc薄膜の成長

Growth of CuPc Thin Films on Structured SiO₂/Si(100) Studied by Metastable Electron Emission Microscopy and Photoelectron Emission Microscopy

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著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 42 号： 6A ページ： 3588-3592 発行年： 2003年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

準安定原子電子放射顕微観察法(MEEM)と光電子放出顕微観察...

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有機化合物の薄膜 , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (23件)：

1) See for example, Conjugated polymer and Molecular Interfaces: Science and Technology for Photonic and Optoelectronic Applications eds. W. R. Salaneck, K. Seki, A. Kahn and J. J. Pireoux (Marcel Dekker, N.Y., 2001).
2) H. Ishii, K. Sugiyama, E. Ito and K. Seki: Adv. Mater. 11 (1999) 1.
3) S. R. Forrest: Chem. Rev. 97 (1997) 1793.
4) F. J. M. Heringdorf, M. C. Reuter and R. M. Tromp: Nature 412 (2001) 517.
5) S. Kera, K. K. Okudaira, Y. Harada and N. Ueno: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 783.

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準安定電子放出顕微観察と光電子放出顕微観察によって調べた構造化SiO2/Si(100)上へのCuPc薄膜の成長

準安定電子放出顕微観察と光電子放出顕微観察によって調べた構造化SiO₂/Si(100)上へのCuPc薄膜の成長